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低密度漏極HEMT

Authors Chen, Jing
Lau, Kei May
Issue Date 2010-12-01
Source 中國專利 , ZL 200680052007.1
Summary 用於製作AIGaN/GaN常閉高電子遷移率晶體管(HEMT)的方法及裝置。基於氟(基於陰离子)的等离子體處理或低能离子注入用来修改漏極側表面场分布,而不使用場極板電極。截止狀態擊穿電壓可得到提高,以及電流崩塌可在LDD-HEMT中被完全抑制,而没有出現增益和截止頻率的明顯降級。
Subjects
GaN
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Language Chinese
Format Patent
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CNZL200680052007.1TTC.PA.02653_20101214.pdf 20123174 B Adobe PDF